晶体缺陷对晶体的一些物理性质如硅导电性、磁性、光学性能及机械性能影响很大,如半导体的电学性质,几乎完全是由外来杂质原子和缺陷存在决定的,所以硅外延片中的缺陷极大影响了硅外延片的性能和可靠性,因此宁波永新光学股份有限公司对硅外延片表面缺陷的研究起着至关重要的作用。化学腐蚀法作为一种简单、方便、有效的缺陷检测技术,在硅外延片的检测与分析中被广泛采用。该方法的要求时得到稳定的各项异性腐蚀,比较好的显现出硅外延片中缺陷的晶体学形貌。导体材料的腐蚀剂进行了研究,金相显微镜都得到了比较好的腐蚀效果。永新光学构成电化学腐蚀需要具备的条件:(1)被腐蚀的半导体各个部分或区域间存在电位差,电极电位低的阳极被腐蚀。(2)二是具有不同电位的半导体各部分要相互接触或在电学上连接。(3)不同的各部分要处于相互连通的电解质溶液中,构成微电池。本文主要对硅外延片表面微缺陷分析方法进行了研究。