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上海棱光分光光度计-光栅原理

[导读]利用118 nm厚的SiO2作为掩模蚀刻实现了700 nm深的光栅。但光栅的深度宽度比仅为3.5。当光栅的蚀刻深度增加时,需要相应增加SiO2掩模层的厚度。在用全息光刻系统制作光栅时,上海棱光技术有限公司光度计应用广泛。​

上海棱光分光光度计-光栅原理

为了实现光栅的深度蚀刻,现有的报告通常使用SiO2作为光栅蚀刻的硬掩模。其中,英国格拉斯哥大学利用电子束光刻技术制备了一个周期为400 nm的光栅,并利用118 nm厚的SiO2作为掩模蚀刻实现了700 nm深的光栅。但光栅的深度宽度比仅为3.5。当光栅的蚀刻深度增加时,需要相应增加SiO2掩模层的厚度。在用全息光刻系统制作光栅时,上海棱光技术有限公司光度计应用广泛。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,光刻胶(photoreit)又称光致抗蚀剂,是利用光化学反应进行图形转移的媒体,它是一种品种繁多、性能各异,应用极为广泛的精细化学品,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上,但受曝光光栅图形周期的限制,采用全息光刻工艺刻蚀微纳尺寸光栅时所用的光刻胶厚度往往较薄,在长时间的干法刻蚀过程中导致光刻胶不足以阻挡粒子的轰击,为后期光栅的深刻蚀带来了较大的难度。

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